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高壓介損試驗(yàn)的測試原理：
電介質(zhì)在交流電壓作用下，除電導(dǎo)和周期性緩慢極化引起的損耗外，有時可能產(chǎn)生游離損耗，即電暈和局部放電損耗，這些損耗統(tǒng)稱為介質(zhì)損耗。介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ的測量，習(xí)慣上簡稱“介損試驗(yàn)”。
介質(zhì)在交流電壓作用下的情況如圖3-1(a)所示，
圖3-1 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下的電路圖和相量圖
（a）電路示意圖 (b)等值電路圖 (c)相量圖
通常把絕緣介質(zhì)看成由一個等值電阻R和一個等值無損耗電容C并聯(lián)組成的電路，如圖3-1（b）所示，通過介質(zhì)的總電流Ì是由通過R的有功電流ÌR和通過C的無功電流ÌC所組成。ÌR流過電阻R所產(chǎn)生的功率代表全部的介質(zhì)損耗, ÌR越大,介質(zhì)損耗越大。由ÌR 、ÌC和Ì所組成的相量圖如3-1(c)所示，從圖中可以看出ÌR的大小與Ì和ÌC之間的夾角δ有關(guān)，δ越大，ÌR越大，因此，稱δ為介質(zhì)損失角。從圖中可得出：介質(zhì)損耗P與介質(zhì)損失角δ之間有如下的關(guān)系式：
ÌR=U/R ÌC=U/XC=ωCU tgδ=ÌR /ÌC=1/ωCR
P=UÌR= UÌCtgδ==UωCUtgδ=U2ωCtgδ
其中，P——絕緣介質(zhì)中的損耗功率
U——被試品上的交流電壓有效值
C——被試品電容
ω——電源角頻率
從上述關(guān)系式可以看出，通過測量tgδ值可以反映出絕緣介質(zhì)損耗的大小。
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